陶瓷电容器（ceramic capacitor;ceranic condenser），也称为瓷介电容。陶瓷电容器是用以陶瓷为介质，涂敷金属薄膜(通常为银)经高温烧结而形成电极，再在电极上焊上引出线，外表涂以保护磁漆，或用环氧树脂包封而成。外形是圆片形，蓝色居多，也有黄色。陶瓷材料配方不同，它的电性能也不同。

陶瓷电容器具有耐热性能好，绝缘性能优良，结构简单，价格低廉等优点，但不同陶瓷材料其特性有非常大的差异，根据使用要求正确选用。

陶瓷电容按频率特性分有：高频瓷介电容器（1类瓷）；低频瓷介电容器（2类瓷）；交流瓷介电容器，按耐压区分有高压瓷介电容器（1KVDC以上）和低压瓷介电容器（500VDC以下）。

一：高频瓷介电容器（亦称1类瓷介电容器）

该类瓷介电容器的损耗在很宽的范围内随频率的变化很小，并且高频损耗值很小，（tanδ≤0.15%,f=1MHz），高使用频率可达1000MHz以上。同时该类瓷介电容器温度特性优良，适用于高频谐振、滤波和温度补偿等对容量和稳定度要求较高的电路。其国标型号为CC1（低压）和CC81（高压），其常规容量范围对应如下：

温度系数αC=1/C（C2-C1/t2-t1）X106（PPM/°C），是指在允许温度范围内，温度每变化1°C,电容量的相对变化率。由上表看出，1类瓷介电容器的温度系数很小，尤其是CH特性，因此也常把1类瓷介电容器中CH电容称为温度补偿电容器。但由于该类陶瓷材料的介电常数较小，因此其容量值难以做高。

二：低频瓷介电容器（亦称2类瓷介电容器）

该类瓷介电容的陶瓷材料介电常数较大，因而制成的电容器体积小，容量范围宽，但频率特性和温度特性较差，因此只适合于对容量、损耗和温度特性要求不高的低频电路做旁路、耦合、滤波等电路使用。国标型号为CT1（低压）和CT81（高压）。由于其自身温升小，频率特性较好，因而可以用于频率较高的场合。

对低压瓷介电容，当容量大于47000pF时，则只能选择3类瓷介电容器（亦称半导体瓷介电容器）。

三：交流瓷介电容器