半密封陶瓷电容器在高湿度环境条件下工作时，发生击穿失效是比较普遍的严重问题。所发生的击穿现象大约可以分为介质击穿和表面极间飞弧击穿两类。

介质击穿按发生时间的早晚又可分为早期击穿与老化击穿两种，早期击穿暴露了电容介质材料与生产工艺方面存在的问题，这些问题导致陶瓷介质介电强度降低，以于在高湿度环境的电场作用下，电容器在耐压试验过程中或工作初期，就产生电击穿。

老化击穿大多属于电化学击穿范畴。由于陶瓷电容器银的迁移，陶瓷电容器的老化击穿已成为相当普遍的问题。漏电流局部增大，可引起热击穿，使电容器断裂或烧毁。热击穿现象多发生在管形或圆片形的小型瓷介质电容器中，因为击穿时局部发热严重。

此外，以二氧化钛为主的陶瓷介质中，负荷条件下还可能产生二氧化钛的还原反应，使钛离子由四价变为三价。陶瓷介质的老化降低了电容器的介电强度，可能引起电容器击穿。

高湿度环境中陶瓷介质表面凝有水膜，使陶瓷电容器边缘表面电晕放电电压下降，工作条件下产生表面极间飞弧现象。严重时导致陶瓷电容器表面极间飞弧击穿。表面击穿与电容结构、极间距离、负荷电压、保护层的疏水性与透湿性等因素有关。

边缘表面极间飞弧击穿的主要原因是，介质留边量较小，在潮湿环境中工作时的银离子迁移和表面水膜形成使电容器边缘表面绝缘由于银离子迁移的产生与发展需要一段时间，所以在耐压试验初期，失效模式以介质击穿为主，直到试验500h以后，只要失效模式才过度为边缘表面极间飞弧击穿。

如您还有其它技术上的疑问可联系我们，我们竭力为您解决。东莞市智旭电子制造安规电容，高压陶瓷电容，独石电容，压敏电阻，薄膜电容，更多品质电容尽在JEC。可以免费提供样品测试，期待您的莅临。以上资讯来自东莞市智旭电子有限公司研发部提供，更多资讯请大家移步网站中智旭资讯中获取。