陶瓷电容是指用高介电常数的电容器陶瓷钛酸钡一氧化钛挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成的电容器。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器，低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用。那么为什么陶瓷电容适合做去耦电容呢？下面给大家分析。

陶瓷或多层陶瓷电容具有尺寸紧凑和低损耗特性，通常是数MHz以上的选电容材料，不过陶瓷电介质特性相差很大，对于电源去耦应用，一些类型优于其它类型。采用X7R的高K电介质配方时，陶瓷电介质电容的值高可达数μF。Z5U和Y5V型的额定电压高可达200 V。X7R型在直流偏置电压下的电容变化小于Z5U和Y5V型，因此是较佳选择。

NP0型使用介电常数较低的配方，具有标称零TC和低电压系数（不同于较不稳定的高K型）。NP0型的可用值限于0.1μF或更低，0.01 μF是更实用的上限值。多层陶瓷电容的极低电感设计可提供近乎的RF旁路，因此越来越频繁地用于10 MHz或更高频率下的旁路和滤波。更小的芯片陶瓷电容工作频率范围可达1 GHz。对于高频应用中的这些及其它电容，通过选择自谐振频率高于高目标频率的电容，可确保有用值符合需要。

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