去耦，专指去除芯片电源管脚上的噪声。该噪声是芯片本身工作产生的。 在直流电源回路中，负载的变化也会引起电源噪声，去耦的基本方法是采用去耦陶瓷电容，而去耦电容一般选择陶瓷电容。那么去耦陶瓷电容怎样选择呢？下面和大家浅谈浅谈。

在高速时钟电路中，尤其要注意元件的RF去耦问题，这主要是因为元件会把一部分量耦合到电源/地系统之中，然后这些量以共模或差模RF的形式传播到其它部件中。陶瓷片电容需要比时钟电路要求的自激频率更大的频率，这样可选择一个自激频率在10～30 MHz，边沿速率是2 ns或者更小的电容。

由于许多PCB的自激范围是200～400 MHz，当把PCB结构看做一个大电容时，可以选用适当的去耦陶瓷电容，增强EMI的抑制。我们可以知道由于引线中不可避免存在较小电感，表面安装元件具大约两个数量级的自激频率。 

由实际经验可知，选择不同去耦电容的依据，通常是根据时钟或处理器的一谐波来选择。但是，町电流是由3次或5次谐波产生的，此时就应该考虑这些谐波，采用较大的分立陶瓷电容去耦。在达到200～300 MHz以上频率的电流工作状态后，0.1μF与0.01μF并联的去耦电容由于感性太强，转换速度缓慢，不能提供满足需要的充电电流。 

在PCB上放置元件时，须提供对高频RF的去耦。须确保所选去耦电容能满足可能的要求。考虑自激频率的时候需要考虑对重要谐波的抑制，一般考虑到时钟的5次谐波。对去耦电容容抗的计算是选择去耦电容的基础，表示为其中，Xc是容抗（Ω）；f是谐振频率（Hz）；C为电容大小。选择去耦陶瓷电容的关键是计算所用电容的容值大小。

电容容抗的计算是选择去耦电容的基础，Xc是容抗（Ω）；f是谐振频率（Hz）；C为电容大小。选择去耦陶瓷电容的关键是计算所用电容的容值大小。

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