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高压瓷片电容
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独石电容生产工艺流程简介

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人气:-发表时间:2017-04-02 08:12【

独石电容也叫MLCC,即是多层陶瓷电容器,亦称为片式电容器;积层电容;叠层电容等,属陶瓷电容器的一种,MLCC是由印好电极(内电极)的陶瓷介质膜片以错位的方式叠合起来,经一次高温烧结形成陶瓷芯片,再芯片的两端封上金属层(外电极),形成一个类似独石的结构体,也就是我们常称的“独石电容器”。

下面我们一起了解下独石电容的生产流程

一:配料,将陶瓷粉和粘合剂及溶剂等按一定比例经过球磨一定时间,形成陶瓷浆料。

二:流延,将陶瓷浆料通过流延机的浇注口,使其涂布在绕行的PET膜上,从而形成一层均匀的浆料薄层,再通过热风区(将浆料中绝大部分溶剂挥发),经干燥后可得到陶瓷膜片,一般膜片的厚度在10um-30um之间。

三:印刷,按照工艺要求,通过丝网印版将内电极浆料印刷到陶瓷膜片上。

四:叠层,把印刷有内电极的陶瓷膜片按设计的错位要求,叠压在一起,使之形成MLCC的巴块(Bar)。

五:制盖,制作电容器的上下保护片。叠层时,底和顶面加上陶瓷保护片,以增加机械强度和提高绝缘性能。

六:层压,叠层好的巴块(Bar),用层压袋将巴块(Bar)装好,抽真空包封后,用等静压方式加压使巴块(Bar)中的层与层之间结合更加紧密,严实。

七:切割,层压好的巴块(Bar)切割成独立的电容器生坯。

八:排胶,将电容器生坯放置在承烧板上,按一定的温度曲线(高温度一般在400度℃左右),经高温烘烤,去除芯片中的粘合剂等有机物质。排胶作用:1)排除芯片中的粘合剂有机物质,以避免烧成时有机物质的快速挥发造成产品分层与开裂,以保证烧出具有所需形状的完好的瓷件。2)消除粘合剂在烧成时的还原作用。

九:烧结,排胶完成的芯片进行高温处理,一般烧结温度在1140℃~1340℃之间,使其成为具有高机械强度,优良的电气性能的陶瓷体的工艺过程。

十:倒角,烧结成瓷的电容器与水和磨介装在倒角罐,通过球磨、行星磨等方式运动,使之形成光洁的表面,以保证产品的内电极充分暴露,保证内外电极的连接。

十一:端接,将端浆涂覆在经倒角处理的芯片外露内部电极的两端上,将同侧内部电极连接起来,形成外部电极。

十二:烧端,端接后产品经过低温烧结后才能确保内外电极的连接。并使端头与瓷体具有一定的结合强度。

十三:端头处理,表面处理过程是一种电沉积过程,它是指电解液中的金属离子(或络合离子)在直流电作用下,在阴极表面还原成金属(或合金)的过程。电容一般是在端头(Ag端头或Cu端头)上镀一层镍后,再镀层锡。

十四:外观挑选,借助放大镜或显微镜将具有表面缺陷的产品挑选出来。

十五:测试,对电容产品电性能方面进行选别:容量、损耗、绝缘、电阻、耐压进行100%测量分档,把不良品剔除。

十六:编带,将电容按照尺寸大小及数量要求包装在纸带或塑料袋内。

由于独石电容容量大,适于低频。独石电容的容量稳定,能保证振荡频率稳定,振荡频率漂移小。特点:温度范围宽;体积小不占空间;电容量范围宽;额定电压高;介质损耗小;高频特性好;已被广泛应用于各类电子产品中。

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